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ZXMP3A17E6
1000
ADVANCE INFORMATION
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
800
600
400
C ISS
C OSS
V GS = 0V
f = 1MHz
8
6
4
I D = -3.2A
C RSS
200
2
V DS = -15V
0
0.1
1
10
0
0
5
10
15
20
-V DS - Drain - Source Voltage (V)
Capacitance v Drain-Source Voltage
SEMICONDUCTORS
6
Q - Charge (nC)
Gate-Source Voltage v Gate Charge
ISSUE 2 - JUNE 2003
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